Cuộc gọi hội nghị chuyên gia lưu trữ Hàn Quốc của Goldman Sachs: Giá DRAM tiếp tục tăng trong năm nay, giá HBM sẽ tăng mạnh vào năm sau, tỷ lệ phủ hợp đồng dài hạn tiếp tục mở rộng
Goldman Sachs tổ chức cuộc gọi chuyên gia lưu trữ tại Hàn Quốc, chuyên gia dự đoán giá DRAM truyền thống có thể tăng trưởng liên tiếp với mức hai chữ số trong quý 3 và quý 4 năm nay, do thiếu hụt nguồn cung là yếu tố cốt lõi. Chuyên gia nhận định giá HBM năm sau có khả năng tăng gấp đôi, còn Goldman Sachs dự báo giá bán HBM của Samsung năm tới có thể tăng 87% so với cùng kỳ. Đồng thời, hơn một nửa DRAM máy chủ đã bị cố định bởi các hợp đồng dài hạn ràng buộc, và việc mở rộng sản xuất của các nhà máy lưu trữ Trung Quốc trong ngắn và trung hạn khó tạo ra mối đe dọa thực sự.
Goldman Sachs đã tổ chức hội thảo trực tuyến chuyên gia lưu trữ tại Hàn Quốc vào ngày 28 tháng 7 và công bố biên bản họp vào ngày 29 tháng 7. Các chuyên gia tham dự cho rằng,giá DRAM truyền thống trong năm nay sẽ duy trì đà tăng trưởng mạnh ở mức “hai con số phần trăm”, HBM có khả năng tăng giá mạnh hoặc thậm chí gấp đôi vào năm tới, sức ép từ các hợp đồng dài hạn đối với thị trường đang ngày càng lớn hơn, các đối thủ đến từ Trung Quốc trong ngắn và trung hạn không gây ra mối đe dọa đáng kể. Goldman Sachs duy trì đánh giá mua đối với Samsung Electronics.

DRAM tiếp tục tăng giá trong năm nay, HBM khả năng gấp đôi vào năm sau
Các chuyên gia đã đưa ra nhận định rõ ràng về xu hướng giá DRAM trong năm nay.
Theo biên bản họp, các chuyên gia dự đoángiá DRAM truyền thống trong quý 3 năm 2026 sẽ tăng trưởng theo quý ở mức “hai con số phần trăm”, phù hợp với diễn biến phục hồi mạnh mẽ gần đây của giá spot. Bước sang quý 4, do nguồn cung tiếp tục khan hiếm, các chuyên gia cho rằng cũng có khả năng “lại tiếp tục tăng trưởng hai con số theo quý”.
Họ cho rằng, phía cung không có sự gia tăng đáng kể, trong khi nhu cầu từ máy chủ AI tiếp tục thúc đẩy, khiến giá dễ tăng và khó giảm.
Câu chuyện của HBM còn hấp dẫn hơn. Các chuyên gia nhận định,vì giá DRAM truyền thống tăng, nên giá HBM vào năm sau “có khả năng tăng gấp đôi”.Dự báo của chính Goldman Sachs là: sang năm 2027, giá HBM của Samsung sẽ tăng 87% so với cùng kỳ, con số này đã cao hơn nhiều so với mức đồng thuận 52% của các bên bán do Bloomberg tổng hợp.
Sức ràng buộc của hợp đồng dài hạn tăng mạnh, hơn một nửa DRAM máy chủ đã được khóa lại
Việc giá có thể duy trì được hay không phụ thuộc vào việc hợp đồng có được thực hiện hay không.
Theo biên bản, các chuyên gia chỉ ra rằng hợp đồng dài hạn (LTA) bao gồm nhiều điều khoản ràng buộc mạnh như: thanh toán trước số tiền lớn, điều khoản “nhận hàng hoặc trả tiền” (take-or-pay), cùng với tiền phạt khi đơn phương hủy hợp đồng. Điều này đồng nghĩa, sau khi ký kết, chi phí rút lui dành cho bên mua là rất cao.
Hiện nay, hơn một nửa DRAM máy chủ đã được bao phủ bởi LTA, các chuyên gia dự đoán tỷ lệ này sẽ tiếp tục tăng trong thời gian tới.
Điều này có ý nghĩa gì đối với các nhà sản xuất lưu trữ? Khả năng dự báo doanh thu tốt hơn và vị thế đàm phán về giá cả cũng mạnh hơn. Trong luận điểm đầu tư, Goldman Sachs cũng nhấn mạnh so với các chu kỳ trước, sức ràng buộc của LTA lần này mạnh hơn, góp phần hỗ trợ kỳ vọng lợi nhuận của Samsung.
Các nhà sản xuất Trung Quốc khó thành mối đe dọa trong ngắn và trung hạn
Thị trường luôn lo ngại việc các hãng lưu trữ Trung Quốc mở rộng sản xuất sẽ gây tác động, tuy nhiên chuyên gia có quan điểm dè dặt về điều này.
Theo biên bản, các chuyên gia thừa nhận nhà cung cấp Trung Quốc đang tích cực mở rộng sản xuất, nhưng cho rằng “khó có khả năng trở thành mối đe dọa rõ rệt đối với các nhà sản xuất hàng đầu trong ngắn và trung hạn”. Nguyên nhân do nhà sản xuất Trung Quốc vẫn còn khoảng cách với các hãng lớn về tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn (yield), trình độ công nghệ...
Nói cách khác, quy mô mở rộng sản xuất không đồng nghĩa là nguồn cung thực tế tăng, các rào cản công nghệ cũng khó vượt qua trong thời gian ngắn.
Mở rộng công suất được đẩy nhanh, nhưng tăng trưởng bit hiệu quả bị giới hạn
Công suất thì mở rộng, nhưng tăng trưởng cung ứng thực sự không tương xứng.
Theo biên bản, các chuyên gia dự đoán tốc độ mở rộng công suất trong năm nay sẽ mạnh hơn mức trung bình lịch sử. Tuy nhiên, do tỷ lệ wafer dành cho HBM (trade ratio) khá cao - sản xuất cùng số lượng HBM sẽ tiêu tốn nhiều wafer DRAM hơn - nên tăng trưởng số bit thực tế được dự báo sẽ thấp hơn mức trung bình lịch sử.
Đây chính là chìa khóa khi phân tích cục diện cung - cầu hiện nay: trên bề mặt, công suất được mở rộng, nhưng thực tế nguồn cung DRAM truyền thống không tăng tương ứng, và đây là lý do cấu trúc dẫn đến giá duy trì đà tăng liên tục.
Công nghệ kết nối lai: Thúc đẩy dần dần, không đột phá nhảy vọt
Trong lộ trình HBM, công nghệ kết nối lai (hybrid bonding) được xem là hướng đi thế hệ tiếp theo, tuy nhiên chuyên gia đánh giá quá trình ứng dụng vẫn sẽ diễn ra từ tốn.
Theo biên bản, các chuyên gia cho rằng khi số tầng chip DRAM tăng lên, công nghệ kết nối hiện tại sẽ ngày càng đối mặt nhiều thách thức. Tuy nhiên, chuyên gia cũng không kỳ vọng công nghệ kết nối lai sẽ được ứng dụng đại trà sớm, lý do là “để đạt tỉ lệ sản phẩm đạt chuẩn đủ trong sản xuất hàng loạt cần rất nhiều thời gian và nỗ lực”.
Các chuyên gia xác định, các nhà sản xuất lưu trữ sẽ thử nghiệm nhiều hướng công nghệ khác nhau, bao gồm cả bonding không cần flux, đồng thời triển khai kết nối lai một cách từng bước thay vì ngay lập tức.
Dựa trên những đánh giá trên, Goldman Sachs giữ khuyến nghị mua cổ phiếu phổ thông Samsung Electronics với mục tiêu 12 tháng là 480.000 won, và 360.000 won cho cổ phiếu ưu đãi.
Báo cáo cho biết, Samsung đã bắt đầu thể hiện “tiến triển thực sự đáng kể” trong lĩnh vực HBM, đi kèm kỳ vọng gia tăng mức chia sẻ lợi nhuận với cổ đông, do đó tiếp tục duy trì góc nhìn tích cực với mã này. Các rủi ro giảm giá chính bao gồm: cung cầu thị trường bộ nhớ biến động xấu mạnh, lợi nhuận mảng smartphone sụt giảm nghiêm trọng, và thị phần màn hình OLED di động mất dần.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Mọi thông tin trong bài viết đều thể hiện quan điểm của tác giả và không liên quan đến nền tảng. Bài viết này không nhằm mục đích tham khảo để đưa ra quyết định đầu tư.
Bạn cũng có thể thích
Triển vọng vĩ mô năm 2027 của Goldman Sachs: Kinh tế toàn cầu tăng tốc nhẹ nhưng con đường đầy trắc trở, rủi ro giảm không thể bỏ qua
Goldman Sachs dự báo tốc độ tăng trưởng GDP toàn cầu năm 2027 sẽ tăng từ 2,7% năm 2026 lên 2,8%, cú sốc giá năng lượng chuyển từ lực cản sang động lực thúc đẩy, đầu tư AI vẫn là động cơ chính; ba rủi ro giảm chính đến từ ảnh hưởng năng lượng liên quan đến tình hình Iran, thị trường trái phiếu và chu kỳ AI; lạm phát cả năm dự kiến sẽ giảm, nhưng vẫn tồn tại rủi ro tăng giá; Cục Dự trữ Liên bang Mỹ dự kiến sẽ tăng lãi suất vào tháng 12 năm nay và tháng 3 năm 2027, trong khi Ngân hàng Trung ương Châu Âu sẽ bắt đầu cắt giảm lãi suất lần lượt vào tháng 12 năm 2027 và quý 4; cả cổ phiếu và trái phiếu trong năm 2027 đều sẽ ghi nhận lợi suất dương, nhưng rủi ro biến động tăng, còn lợi suất hàng hóa dự kiến gần bằng 0.

Nscale, nhà cung cấp dịch vụ đám mây AI, tăng mạnh nợ trước khi niêm yết, phụ thuộc ngày càng nhiều vào nguồn vốn và nguồn cung chip từ Nvidia (NVDA.US)
Trong tài liệu quản lý mới nhất được Nscale nộp trước đợt chào bán cổ phiếu lần đầu ra công chúng, công ty tiết lộ rằng quy mô nợ của mình đã tăng mạnh, trong tương lai vẫn cần huy động một lượng lớn vốn để thực hiện các hợp đồng khách hàng, đồng thời mức độ phụ thuộc vào Nvidia của công ty cũng cao hơn so với những gì được công bố trước đó.
Besent đối đầu với quan chức cao cấp của Fed: Lạm phát xuất phát từ cú sốc năng lượng hay nhu cầu quá nóng, tranh luận về lộ trình tăng lãi suất của Fed ngày càng gay gắt
Bộ trưởng Tài chính Mỹ Besant cho rằng lạm phát hiện nay chủ yếu bắt nguồn từ cú sốc nguồn cung năng lượng do chiến tranh Iran gây ra, dữ liệu lạm phát hiện tại về bản chất chỉ là "nhiễu động" và Fed không nên tăng lãi suất vì lý do này; Chủ tịch Fed Chicago Goolsbee lại cho rằng lạm phát đã lan rộng sang các lĩnh vực như dịch vụ, y tế và nguy cơ nhu cầu quá nóng không thể xem nhẹ, Fed vẫn cần có hành động.

