Ngân hàng Mỹ: Sản lượng mới của SK Hynix vào năm 2028 có thể chỉ bằng một phần sáu so với kế hoạch ban đầu, tranh cãi về thao túng giá DRAM lại bùng nổ

Phân tích mới nhất từ Bank of America cho thấy, công suất sản xuất chip nhớ mới thực tế của SK Hynix đến năm 2028 có thể chỉ bằng một phần sáu so với kế hoạch ban đầu, nhận định này không chỉ khiến bản đồ mở rộng công suất của chính phủ Hàn Quốc bị thu hẹp đáng kể mà còn cung cấp bằng chứng then chốt cho vụ kiện tập thể về thao túng giá DRAM đang diễn ra.

Theo truyền thông Hàn Quốc dẫn báo cáo gần đây của Bank of America, do ảnh hưởng của việc đóng cửa nhà máy cũ, nâng cấp công nghệ và thu nhỏ quy trình sản xuất, công suất vận hành thực tế hàng năm có thể tăng thêm đối với wafer chip nhớ ở Hàn Quốc chưa đến 10%, điều này có nghĩa là mức tăng công suất đến năm 2030 sẽ thấp hơn nhiều so với mục tiêu "gấp đôi công suất vào năm 2030" mà Tổng thống Hàn Quốc Lee Jae-myung từng đặt ra. Người trong ngành chip nhớ còn cho biết, công suất mới của SK Hynix đến năm 2028 có thể chỉ bằng một phần sáu so với kế hoạch ban đầu.

Nhận định này tác động trực tiếp đến dự báo nguồn cung trên thị trường DRAM. Trong khi đó, Samsung, SK Hynix và Micron đã bị kiện tập thể tại Tòa án Liên bang California, Mỹ vào ngày 25 tháng 6 năm nay với cáo buộc liên kết thao túng giá DRAM. Các nhà phân tích cho rằng, thực tế việc mở rộng công suất của SK Hynix bị đình trệ nghiêm trọng sẽ làm suy yếu thêm lập luận biện hộ của ba nhà sản xuất lớn trong vụ kiện này.

Trước đó, Tổng thống Hàn Quốc Lee Jae-myung đã tích cực quảng bá các nhà máy wafer quy mô lớn mà Samsung và SK Hynix đang xây dựng lần lượt tại vùng Gwangju và Jeolla ở phía tây nam đất nước, coi đó là trụ cột then chốt để đạt mục tiêu "gấp đôi công suất vào năm 2030". Tuy nhiên, phân tích của Bank of America cho thấy có khoảng cách rất lớn giữa kỳ vọng lạc quan này và thực tế.

Theo người trong ngành chip nhớ, chỉ riêng việc hoàn thành móng nhà máy tại Gwangju và Jeolla đã mất khoảng năm năm, sau đó còn cần ba đến bốn năm để xây dựng phòng sạch và lắp đặt thiết bị sản xuất chip. Việc thiết lập hoàn chỉnh hệ sinh thái sản xuất tại hai khu vực nhà máy này dự kiến sẽ tốn hơn mười năm.

Sau khi tính toán tác động tiêu cực do đóng cửa các nhà máy cũ vì nâng cấp công nghệ, công suất vận hành sản xuất wafer chip nhớ tại Hàn Quốc mỗi năm thực chất tăng ròng chưa đến 10%, mức tích lũy tăng đến năm 2030 sẽ thấp đáng kể so với mục tiêu đã định của chính phủ.

Ngày 25 tháng 6 năm nay, Samsung, SK Hynix và Micron đã bị kiện tập thể tại Tòa án Liên bang California. Vụ kiện đại diện cho những khách hàng cá nhân và doanh nghiệp từng mua các sản phẩm thương mại chứa DRAM trong giai đoạn giá DRAM tăng mạnh gần đây, cáo buộc ba công ty đã lợi dụng vị thế dẫn đầu trên thị trường DRAM toàn cầu để phối hợp giảm sản lượng các dòng nhớ truyền thống như DDR3, DDR4 lấy lý do chuyển đổi chiến lược sang bộ nhớ băng thông cao AI (HBM), nhằm đẩy giá lên cao một cách nhân tạo.

Vấn đề trì trệ trong mở rộng công suất mà báo cáo của Bank of America nêu ra đã đồng điệu với luận điểm cốt lõi của vụ kiện nói trên. Nếu công suất mới của SK Hynix đến năm 2028 chỉ bằng một phần sáu so với kế hoạch ban đầu, thì lập luận thị trường về "công suất mới sắp đổ vào thị trường quy mô lớn" sẽ khó tồn tại, điều này cũng gây thêm áp lực cho ba nhà sản xuất lớn khi biện hộ rằng nguồn cung bị ảnh hưởng bởi yếu tố khách quan.

Phân tích trên càng củng cố thêm đánh giá về tình trạng thiếu nguồn cung chip nhớ trong dài hạn. CEO SK Hynix trước đó từng cảnh báo công khai rằng năm 2027 sẽ là "năm tồi tệ nhất trong lịch sử" của ngành lưu trữ, tình trạng thiếu hụt có thể kéo dài đến thập niên 2030.

Đối với nhà đầu tư, thời điểm công suất sản xuất chip nhớ thực sự được mở rộng đã bị đẩy lùi xa, đồng nghĩa với việc giá DRAM trong trung hạn sẽ vẫn chịu áp lực từ phía cung ứng. Đồng thời, diễn biến của vụ kiện tập thể sẽ là biến số quan trọng ảnh hưởng đến định giá và kỳ vọng thị trường đối với Samsung, SK Hynix và Micron.