A demanda por armazenamento de IA impulsiona onda de expansão! Kioxia planeja construir uma terceira fábrica de wafers em Iwate, no Japão

Segundo informações obtidas pela Jinse Finance APP, de acordo com fontes próximas, a gigante japonesa de chips de armazenamento Kioxia está construindo uma nova fábrica de fabricação de wafers em sua base de produção no norte da província de Iwate, Japão, com o objetivo de aumentar sua capacidade de produção e atender à demanda contínua e robusta por armazenamento relacionado à inteligência artificial (AI). Uma das fontes afirmou que a Kioxia planeja anunciar o plano de expansão ainda na noite de quinta-feira.

A fabricante de chips baseada em Tóquio pretende produzir chips NAND avançados para data centers em sua base de produção em Iwate, enquanto sua outra principal base de produção em Yokkaichi, na província de Mie, vai focar na fabricação de chips para produtos de consumo, como smartphones.

Segundo as fontes, esta nova fábrica será a terceira unidade no complexo de produção e será dedicada à produção da última geração de chips de memória flash 3D de alta densidade da empresa, projetados para ajudar a processar as enormes cargas de trabalho geradas por serviços de AI. No mês passado, a Kioxia já iniciou a entrega de amostras do seu chip de memória flash 3D BiCS FLASH de décima geração para operadores de grandes data centers de AI. Este chip, com arquitetura de empilhamento de 332 camadas e 1Tb TLC (celular de três camadas), é fabricado exclusivamente na fábrica Fab2 da Kioxia localizada ao norte da província de Iwate, Japão.

O lançamento do chip flash BiCS10 da Kioxia representa um avanço significativo em seu roteiro tecnológico. Em comparação com a oitava geração do BiCS FLASH, o produto de décima geração alcançou diversos breakthroughs fundamentais: o número de camadas empilhadas saltou de 218 para 332, a densidade de armazenamento ultrapassa 29Gb/mm², um aumento de 59% em relação ao BiCS8. A interface I/O suporta o padrão Toggle DDR6.0 com taxas de até 4800MT/s, um aumento de 33% sobre a oitava geração. O consumo de energia também foi amplamente otimizado: o consumo na saída reduziu 34%, a eficiência de leitura aumentou 30%, o consumo na entrada caiu 10% e a eficiência de escrita subiu 18%.

Em termos de arquitetura técnica, o BiCS10 utiliza integralmente as duas tecnologias fundamentais implementadas já a partir da oitava geração: ligação direta CMOS ao array (CBA) e controle de pitch (OPS). A arquitetura CBA, ao fabricar separadamente os wafers do array de armazenamento e do lógico CMOS para posterior ligação, rompe as limitações de fiação do wafer tradicional único, aumentando de forma significativa o limite de número de camadas empilhadas. A continuidade desse sistema de processo maduro significa que não é necessário construir uma nova linha de produção, encurtando consideravelmente o ciclo de produção em massa do novo produto. Kioxia afirmou em comunicado que esses novos chips serão principalmente integrados em SSDs de nível empresarial e data centers, visados para atender à crescente demanda por armazenamentos de AI com desempenho elevado, grande capacidade e baixo consumo de energia.

Esse investimento será realizado em parceria com a fabricante Sandisk (SNDK.US). Fontes acrescentaram que Kioxia e Sandisk buscarão subsídios do governo japonês. Nos últimos anos, o Japão tem oferecido apoio financeiro a empresas que ampliam sua capacidade de fabricação de chips no país, incluindo TSMC (TSM.US), Sony (SONY.US) e Micron Technology (MU.US). O CEO da Kioxia, Hiroshi Ota, e o CEO da Sandisk, David Goeckeler, planejam visitar a primeira-ministra Sanae Takaichi na tarde de quinta-feira.

Kioxia enfrenta uma pressão crescente para expandir sua produção e atender à demanda contínua ao longo de contratos ultralongos. Este anúncio vem logo após planos de expansão massivos de concorrentes sul-coreanos e o aumento contínuo da participação de mercado da Yangtze Memory (YMTC) da China. Segundo dados recentes do instituto de pesquisa Counterpoint Research, a Yangtze Memory, gigante chinesa do armazenamento NAND, está ampliando rapidamente sua fatia no mercado global de memória flash NAND, devendo alcançar, no segundo trimestre de 2026, o terceiro lugar mundial em volume de embarques — atrás apenas das duas gigantes sul-coreanas Samsung Electronics e SK Hynix.