バンク・オブ・アメリカ：ストレージサイクルは「J型」成長から離れるが、ファンダメンタルズの上昇余地は依然として大きい。チップ不足は2027年まで続く可能性。
バンク・オブ・アメリカが最近発表したレポートによると、2026年第4四半期の到来とともに、ストレージサイクルは以前のJ型成長段階を徐々に抜け、新たな発展段階に入ると指摘されています。
ジートンファイナンスAPPによると、バンク・オブ・アメリカ（美銀）が最近発表したレポートで、2026年第4四半期の到来とともに、ストレージサイクルはこれまでのJカーブ成長段階を徐々に抜け出し、新たな発展段階に入ると指摘した。これはMicron Technology（MU.US）が最近発表した業績および最新ガイダンスと一致している：2026会計年度第4四半期の売上高は前四半期比31％増加し、第3四半期の74％より低い。同社は2027会計年度第1四半期の売上高は前四半期比でわずか13.5％の増加を見込んでいる。
この傾向は、ストレージ業界に対する弱気な論拠構築に利用される可能性があるが、バンク・オブ・アメリカは、ファンダメンタルズの上振れ余地は依然として大きいと考えており、主に3つの理由がある：1）高い利益率——売上高の四半期比成長率が大幅に低下し、従業員インセンティブコストが上昇しても、Micronは2027会計年度第1四半期の粗利益率が86％に達すると見込んでいること；2）低いP/E倍率——2028年の予想1株当たり利益で計算しても、ほとんどのストレージ株のP/Eは5～7倍に過ぎないこと；3）過去最高の自社株買いまたは現金配当。
アジアのストレージチップメーカーと同様に、Micronもアジアおよび米国でより多くのファブが稼働を開始するものの、新たなチップ需要に対してストレージチップの供給不足が2027年まで続く可能性が高いと見ているようだ。
バンク・オブ・アメリカは、総じて売上高/営業利益が2018年および2021年の2度の上昇サイクルのピーク時の10倍の水準を維持できるのであれば、成長の鈍化は懸念材料になるべきではなく、Micronの業績およびガイダンスはすでにその証拠を提供していると述べている。
類似点と相違点：Micron vs Samsung/SK hynix
バンク・オブ・アメリカはまた、Micronの6つの戦略は、概ねSamsung ElectronicsおよびSK hynixの戦略と一致していると把握している。その内容は：1）積極的な株主還元；2）長期供給契約（LTA）の増加。あわせて顧客基盤の多様化を図り、大手テック企業やOEMも含む；3）新しいファブの建設。ただし製造サイクルが長期化しており、ウェーハの生産能力拡大が制限されている；4）チップ供給は長期的な需要に対して依然として不足している；5）平均販売価格（ASP）は安定的に推移し、売上成長は主に出荷数量の増加によるものであり、DRAM/NAND価格の大幅な引き上げには依存していない；6）高帯域幅メモリ（HBM）を重視しており、従来型DRAMの大規模生産能力拡大と比べ、2027年の年間契約のASP伸び率もより顕著である。
ただし、各社の利益実績と業績見通しには依然として差がある——第3四半期のDRAM ASP前四半期比：Samsung/SK hynixは23～25％上昇を見込んでいるが、Micronは十数ポイント高い上昇を見込んでいる。第3四半期のNAND ASP前四半期比：Samsung/SK hynixは15～18％の上昇、Micronは約30％の上昇を見込んでいる。
配当性向に関しては、Samsungは現在フリーキャッシュフロー（FCF）の50％、SK hynixは50％超、Micronは特定目標の現金保有額に到達した後に100％配当性向を達成する予定で、その目標は2026年11月四半期に達成すると見込まれる。2026年8月四半期の現金保有は750億ドルである；
2030年までの長期販売に占めるLTA比率：Samsungは60～70％、SK hynixは50％超、Micronは35％超である。さらに1c（Gamma）プロセスノードの移行については、SamsungはいまだにDDR5への適用を行っておらず、HBM4が主軸である。SK hynixは既にハイエンドDDR5の主流生産に使用している。Micronは1cが最大の製造プロセスノードであると明言した。
HBM、DDR5および駆け込み受注により韓国9月半導体輸出が力強い成長を記録
韓国の9月半導体輸出は大幅に増加し、前月比29％、前年比263％の成長となった。バンク・オブ・アメリカは主に3つの成長牽引要因があると見ている：1）HBM4が量産を加速して成功し、現在HBM全売上の50％超を占めている；2）長期供給契約が増加しているにもかかわらず、DDR5価格は前四半期比で20～30％以上上昇した；3）四半期末の駆け込み受注が増加し、その中にはエンタープライズ向けSSD（eSSD）/NAND注文も含まれている。
7月、8月、9月の輸出データを合算してみても、第3四半期の成長は力強く、前四半期比30％の増加となり、バンク・オブ・アメリカによるSK hynixおよびSamsungの第3四半期ストレージチップ売上の予測と概ね一致している——同行はSK hynixのストレージチップ売上は32％増、Samsungは27％増と予想している。
Samsungの第3四半期の暫定営業利益は10月8日に発表される予定で、バンク・オブ・アメリカは10.7兆ウォンを予測しており、HBM4やDDR5、さらにはNANDの強い売上やASP上昇が支えて、ウォール街の楽観的コンセンサスであるおよそ11兆ウォンに簡単に届く可能性が高いとみている。
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