Everspin 在 SNIA Developer Conference 2026 展示 CXL 連接的 MRAM

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Bitget2026/09/29 13:11

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Everspin Technologies 在 2026 年 SNIA 開發者大會上展示了連接 CXL 的 MRAM 平台，稱其為同類產品中的首創。
該系統針對介於 DRAM 和 NAND 之間的新型持久性記憶體階層，旨在減少處理器和加速器的數據等待時間。
本次展示突顯了具備奈秒級延遲的快取行存取，MRAM 寫入速度最高可達 NAND SSD 儲存設備的 100 倍。
配置採用了 Supermicro 伺服器、AMD EPYC 9355 處理器、AMD Alveo U250 FPGA，以及 Wolley 的 CXL 控制器。
案例應用包括 AI 檢查點保存、持久性鍵值快取、記憶體池化，以及主機間共享持久性容量。

免責聲明：本新聞簡報由 Public Technologies (PUBT) 使用生成式人工智慧製作。雖然 PUBT 致力於提供準確及及時的資訊，但此由 AI 生成的內容僅供參考，不應被視為金融、投資或法律建議。Everspin Technologies Inc. 於 2026 年 9 月 29 日透過 Business Wire 發布了用於生成本新聞簡報的原始內容（參考編號：20260929225389），其內容由 Everspin Technologies Inc. 全權負責。

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