Navitas Semiconductor sẽ bắt đầu vận chuyển công nghệ GaNFast thế hệ thứ 5 sản xuất tại Mỹ vào tháng 9.

09:17 AM EDT, 01/09/2026 (MT Newswires) -- Navitas Semiconductor (NVTS) cho biết vào thứ Ba rằng họ sẽ bắt đầu các lô hàng đầu tiên công nghệ GaNFast thế hệ thứ 5 sản xuất tại Mỹ, hợp tác với GlobalFoundries (GFS), vào tháng 9. Dòng sản phẩm ban đầu dự kiến sẽ bao gồm các transistor hiệu ứng trường nitrua gali 650 V với giá trị RDS [ON] lần lượt là 11 milliohm, 18 milliohm, 50 milliohm, 120 milliohm và 150 milliohm, theo công ty. Công ty đã phát triển chất bán dẫn GaNFast thế hệ 5 để sản xuất tại cơ sở của mình ở Vermont. Navitas cho biết các tấm wafer đầu tiên dự kiến sẽ được xuất xưởng vào tháng 9, trong khi các mẫu nội bộ và mẫu dành cho khách hàng chiến lược dự kiến sẽ được giao lần lượt vào tháng 10 và trước cuối năm. Cổ phiếu Navitas giảm 4% trong phiên giao dịch tiền thị trường hôm thứ Ba.