サムスンのHBM4Eの歩留まりが70％を超え、次世代DRAMプロセスD1dは11月の生産準備承認を目指す

BlockBeatsによると、7月1日、Samsung Electronicsは世界初のHBM4（第6世代）の量産後、HBM4E（第7世代）および次世代DRAMの開発で進展を見せている。Samsung Electronics DS部門CTO兼半導体研究所所長のSong Jae-hyukは、6月30日に開催された社内経営状況説明会で、HBM4Eの信頼性テスト良率が70%以上まで向上したと述べた。業界では通常、良率が80%を超えるとプロセスが安定した「成熟良率」に到達したと見なされるが、HBM4Eはまだ信頼性テスト段階にあるため、70%以上は開発が安定領域に入った指標とされている。

Samsung Electronicsは今年2月、HBM4の量産・出荷を先駆けて行い、5月29日にはHBM4E 12層製品の詳細技術仕様を公表し、主要顧客へサンプル出荷を行った。HBM4はNVIDIAの下半期発売予定のAIアクセラレータVera Rubinに使用され、HBM4Eは来年NVIDIAが発売予定の次世代AIアクセラレータVera Rubin Ultraなどの製品に使用される見込みである。

Samsungの次世代DRAMプロセスの開発も順調に進んでいる。Song Jae-hyukは、D1dプロセス技術が競合他社に対して優位性を持っており、11月に生産準備承認の取得を目標に開発を進めていると見解を示した。D1dはSamsungが次世代HBM5（第8世代）から適用予定の核心DRAMプロセスで、計画通り進めば次世代DRAMやHBM5以降の製品競争力に好影響を与えることになる。（Fnnews）