Se informa que Tesla (TSLA.US) y SpaceX (SPCX.US) planean que Terafab produzca un millón de obleas por mes, pero la viabilidad ha sido cuestionada.
Según se informa, Tesla (TSLA.US) y SpaceX (SPCX.US) planean alcanzar una capacidad de producción de 1 millón de obleas semiconductoras por mes a partir de 2032, en la fábrica Terafab que se está proyectando.
Según informó Jin Zhi Finance APP, Tesla (TSLA.US) y SpaceX (SPCX.US) planean alcanzar, a partir de 2032, una capacidad de producción mensual de 1 millón de obleas semiconductoras en la fábrica Terafab que se propone construir. Este objetivo incluye alrededor de 700 mil obleas/mes de chips de memoria y más de 300 mil obleas/mes de chips lógicos. Sólo considerando la capacidad de almacenamiento planificada, estaría a la par de la estimación de la capacidad de producción de DRAM de Samsung Electronics (650 mil a 700 mil obleas al mes).
Según se informa, personal de compras de Terafab visitó Japón a principios de este mes para reunirse con proveedores de equipos semiconductores y coordinar el calendario de pedidos y entregas. A algunos fabricantes japoneses se les ha solicitado entregar equipos en apenas unos meses. Un fabricante de equipos comentó que este plazo era excepcionalmente exigente, aunque manifestó que harían todo lo posible para cumplir con la fecha límite.
De acuerdo a los reportes, como CEO de Tesla y SpaceX, el objetivo de Musk es iniciar la producción a gran escala en la segunda mitad de 2028. Sin embargo, incluso para los fabricantes de chips consolidados, construir una planta de semiconductores avanzada y alcanzar la producción en masa normalmente requiere más de tres años. Algunos expertos de la industria ya han cuestionado la viabilidad del agresivo calendario de Terafab.
La capacidad total propuesta sería aproximadamente 40 veces mayor que la prevista por Rapidus en su planta de Chitose, Hokkaido, Japón (25 mil obleas al mes). Aún no está claro si las empresas podrán asegurar el suministro de equipos y cumplir con este ambicioso plan de producción.
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