La demanda de IA impulsa a TSMC a acelerar la expansión de la producción, la capacidad mensual de 2 nanómetros apunta a 120,000 unidades para fin de año.
Según informes, gigantes como Apple, Nvidia y AMD han incrementado sus pedidos entre un 10% y un 20%, impulsando directamente la capacidad de producción mensual de TSMC en tecnología de 2 nanómetros a 120.000 obleas para finales de año, superando en más del 20% las estimaciones previas y alcanzando así la meta prevista para 2027 dos años antes de lo planeado. Por primera vez en la historia, cinco fábricas incrementaron simultáneamente su producción, y se espera que la tasa de crecimiento anual compuesta de la capacidad entre 2026 y 2028 alcance el 70%.
La carrera armamentista de chips de IA está redefiniendo el ritmo de expansión de la capacidad de obleas más avanzada del mundo.
Según informa el Diario Económico de Taiwán el 28 de septiembre, gigantes tecnológicos como Apple, Nvidia, AMD, Qualcomm y MediaTek han realizado recientemente pedidos adicionales de capacidad de producción de la familia de 2 nanómetros de TSMC, con un incremento del 10% al 20%. Impulsada por esto, TSMC ha acelerado drásticamente su plan de expansión de capacidad de 2 nanómetros, con un objetivo de producción mensual de 120.000 obleas para finales de este año, superando con creces la previsión previa del mercado de 90.000 a 100.000 obleas, y adelantando dos años el objetivo inicialmente previsto para 2027. Esta velocidad de expansión ha sido confirmada oficialmente por TSMC como la más rápida de su historia.
Hou Yongqing, vicepresidente senior y codirector de operaciones de TSMC, reveló en el foro tecnológico de TSMC en América del Norte de este año que, para hacer frente a la fuerte demanda de IA, por primera vez este año cinco plantas de 2 nanómetros entrarán en producción en paralelo, incluyendo dos en Hsinchu y tres en Kaohsiung. También señaló que la producción de obleas de 2 nanómetros en el primer año superará en un 45% a la de 3 nanómetros en su primer año (2023), y que la tasa de crecimiento anual compuesta de la capacidad de 2 nanómetros entre 2026 y 2028 será de hasta un 70%.
Al mismo tiempo, la expansión de la capacidad de 3 nanómetros de TSMC también avanza simultáneamente. La producción mensual de 3 nanómetros de la planta de Nanke se acercará a 180.000 obleas en el cuarto trimestre de este año, y se añadirán tres nuevas plantas de obleas de 3 nanómetros en Taiwán, Arizona (EE.UU.) y Japón, estableciendo así una red global para la cadena de suministro de procesos avanzados.
Gran demanda de pedidos, el progreso de la expansión de 2 nanómetros supera ampliamente lo previsto
Inicialmente, el mercado preveía que la capacidad mensual de la familia de 2 nanómetros de TSMC sería de entre 90.000 y 100.000 obleas para finales de este año, y que solo con un crecimiento continuo de dos dígitos podría llegar a un rango de 110.000 a 140.000 obleas en 2027. Sin embargo, según los informes, fuentes del sector revelan que, debido a la alta demanda tanto de Apple como de otros clientes, la velocidad y la escala del nuevo arranque de capacidad de la familia de 2 nanómetros de TSMC han establecido un récord histórico, superando ampliamente el ritmo de escalada de la familia de 3 nanómetros en su primer año.
Esta oleada de pedidos incluye a las principales empresas del sector de chips de IA y computación de alto rendimiento (HPC): Apple, Nvidia, AMD, Qualcomm y MediaTek, con aumentos de pedidos entre el 10% y el 20%. El informe indica que TSMC habitualmente no comenta sobre información de clientes ni rumores de mercado, pero la declaración pública de Hou Yongqing en el foro tecnológico de América del Norte confirma oficialmente la aceleración de la expansión de capacidad.
Según el informe, los analistas del sector señalan que la drástica expansión de la capacidad de 2 nanómetros de TSMC es crucial para los clientes que requieren una fabricación avanzada de obleas a gran escala y estable, ayudando a asegurar la cadena de suministro y respaldar sus respectivas hojas de ruta de productos de IA.
Cinco plantas con producción simultánea, el ritmo de ramp up de 2 nanómetros es el más rápido de la historia
Según se informa, la declaración de Hou Yongqing en el foro tecnológico de América del Norte es la señal oficial más clara hasta la fecha sobre la expansión de la capacidad. Este año, cinco plantas de 2 nanómetros entrarán en producción en paralelo, algo sin precedentes en la historia de TSMC, lo que por sí mismo refleja la urgencia de la demanda.
Desde un punto de vista cuantitativo, la producción de obleas de 2 nanómetros en el primer año será un 45% mayor que la producción de 3 nanómetros en su primer año (2023), lo que significa que TSMC ha logrado una curva de escalada de capacidad mucho más pronunciada en nodos de proceso más avanzados. Entre 2026 y 2028, se espera que la tasa de crecimiento anual compuesta de la capacidad de 2 nanómetros alcance el 70%, una velocidad de expansión extremadamente rara en la industria de semiconductores.
En comparación, la expansión de capacidad de 3 nanómetros de TSMC es relativamente estable: entre 2022 y 2027, la tasa de crecimiento anual compuesta se prevé en aproximadamente el 25%. La notable diferencia entre ambas tasas refleja el rápido traslado de la demanda del mercado hacia procesos más avanzados.
La disposición global de 3 nanómetros avanza en paralelo, la nueva fábrica en EE.UU. producirá en masa en 2027
Mientras se acelera la expansión de los 2 nanómetros, la capacidad de 3 nanómetros de TSMC tampoco se desacelera. La fábrica de Nanke de 3 nanómetros alcanzará una capacidad mensual cercana a las 180.000 obleas en el cuarto trimestre de este año, y se espera que en 2027 alcance entre 200.000 y 210.000 obleas, un aumento anual del 16%.
A nivel de distribución global de capacidad, TSMC está añadiendo tres nuevas plantas de obleas de 3 nanómetros ubicadas en Taiwán, Arizona, EE.UU. y Japón, para satisfacer la demanda futura de procesos de 3 nanómetros. Además, en Taiwán, TSMC sigue adaptando los equipos de 5 nanómetros para apoyar la capacidad de 3 nanómetros, mejorando así la eficiencia de las plantas existentes.
La segunda planta de obleas en EE.UU. utilizará tecnología de proceso de 3 nanómetros. Su construcción ya se ha completado y se prevé iniciar la producción en masa en la segunda mitad de 2027, lo que convertirá a dicha planta en el nodo de proceso más avanzado establecido por TSMC en EE.UU., con una importancia estratégica significativa para satisfacer la demanda de la cadena de suministro de clientes norteamericanos.
Según analistas, esta aceleración en la expansión de los 2 nanómetros de TSMC tendrá un impacto directo en el mercado en varios niveles.
- Para los clientes, el adelanto en la liberación de capacidad significa que Apple, Nvidia y otros grandes clientes podrán disponer antes de suficiente suministro de obleas de procesos avanzados, favoreciendo así la producción masiva más rápida de chips de IA y productos finales, y reduciendo el riesgo de cuellos de botella en la cadena de suministro.
- Para la propia TSMC, la expansión inesperada de la capacidad de 2 nanómetros incrementará notablemente los ingresos derivados de procesos avanzados, y sumado a la disposición global de 3 nanómetros, podrán seguir fortaleciendo el dinamismo operativo en general.
- Para la industria de semiconductores en su conjunto, la rápida expansión de TSMC en los nodos de proceso más avanzados consolida aún más su posición dominante en el mercado global de foundries, y también implica que la fiebre de inversión en infraestructura de IA está acelerando su migración de la etapa de diseño de chips a la manufactura.
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