Navitas erhält US-Armee-Auftrag zur Entwicklung von 10 kV Siliziumkarbid-Technologie

```html16:40 Uhr EDT, 28.09.2026 (MT Newswires) -- Navitas Semiconductor (NVTS) gab am späten Montag bekannt, dass das Unternehmen das Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT-Programm, auch als ALATTIS bezeichnet, erhalten hat, um die nächste Generation der 10-Kilovolt-Siliziumkarbid-Leistungs-Halbleitertechnologie zu entwickeln. Finanzielle Einzelheiten wurden nicht bekannt gegeben. Das Prototypenprojekt, das vom Army Research Laboratory unter dem US Army Combat Capabilities Development Command gefördert wird, konzentriert sich auf die Entwicklung und Validierung eines inländischen Fertigungsprozesses für ultra-hochspannungsfähige Siliziumkarbid-Leistungs-Halbleiterbauelemente durch Design, Herstellung und Test.```