Navitas獲得美國陸軍項目，將開發10 kV碳化矽技術
MT newswire2026/09/28 20:46顯示原文
```html04:40 PM EDT，2026/09/28（MT Newswires）——Navitas Semiconductor（NVTS）週一晚間表示，公司獲得了Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT（簡稱ALATTIS）計畫，將用於開發下一代10千伏碳化矽功率半導體技術。財務細節未披露。該原型項目由美國陸軍作戰能力開發司令部下屬的陸軍研究實驗室資助，重點是通過設計、製造和測試，開發並驗證用於超高壓碳化矽功率半導體元件的本地生產工藝。```
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