美國陸軍選擇Navitas開發新一代10kV SiC IGBT技術

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Bitget2026/09/28 20:21

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Navitas 獲得美國陸軍支持的 ALATTIS 獎項，用於開發新一代 10 kV 碳化矽功率半導體。
該計劃以 10 kV SiC IGBTs 及相關 PiN 二極體為目標，將其碳化矽產品藍圖從 MOSFET 產品延伸。
該項工作將設計、製造及測試原型，旨在驗證超高壓 SiC 器件國產製造新工藝。
此項努力建基於其 GeneSiC 產品組合，覆蓋 650 V 至 6.5 kV，並以其溝槽輔助平面器件架構為核心。

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