Thị trường bộ nhớ có thể bước vào chu kỳ thiếu hụt cung cầu kéo dài, Citrini dự báo thiếu hụt DRAM toàn cầu đạt 28,7EB vào năm 2030

```html格隆汇 ngày 16 tháng 7｜Theo dự báo mới nhất từ tổ chức nghiên cứu thị trường Citrini Research, đến năm 2030, thị trường DRAM toàn cầu vẫn sẽ xuất hiện sự thiếu hụt nguồn cung lớn, quy mô dự kiến đạt 28,7EB, chiếm khoảng 18% tổng nhu cầu của năm đó, so với tổng công suất toàn cầu hiện nay khoảng 40EB. Theo dữ liệu được nghiên cứu viên Zephyr của Citrini chia sẻ, nhu cầu DRAM toàn cầu (bao gồm HBM) vào năm 2030 dự kiến đạt 157,5EB, năng lực cung ứng chỉ khoảng 128,8EB; trong đó, DRAM thông thường sẽ là điểm nghẽn lớn nhất, năng lực cung ứng ước tính khoảng 91EB mỗi năm, trong khi nhu cầu lên tới 120EB, tỷ lệ thiếu hụt sẽ tăng từ mức hiện tại 18% lên khoảng 25%. Báo cáo nhấn mạnh rằng, ngay cả khi Samsung, SK Hynix, Micron và các công ty Trung Quốc liên tục mở rộng sản xuất, năng lực mới vẫn có thể bị hấp thụ nhanh chóng bởi nhu cầu AI tăng vọt. Nhân tố cốt lõi gây mất cân bằng cung cầu chính là sự bùng nổ của cơ sở hạ tầng AI, do quá trình huấn luyện và suy luận mô hình lớn, HBM trở thành lõi của bộ tăng tốc AI, kéo theo nhu cầu DRAM cho máy chủ truyền thống tăng mạnh. Trong trạng thái cân bằng chặt chẽ, giá bán trung bình DRAM (ASP) có thể duy trì ở mức cao trong thời gian dài, dự kiến dao động từ 1,5-2 USD mỗi Gb, chi phí bộ nhớ cho máy chủ, PC và thiết bị điện tử tiêu dùng sẽ tiếp tục chịu áp lực.```