Musk comenta sobre a produção de chips: capacidade de fabricação em larga escala da China frequentemente supera a soma do restante do mundo
Após a ChangXin Memory anunciar um avanço crucial em memórias DDR5 para servidores, o índice Philadelphia Semiconductor nos EUA caiu 2,7% durante a noite, com ações como Micron e SK Hynix ADR despencando coletivamente. Elon Musk comentou sobre essa tendência, afirmando que, quando a China domina o método de fabricação de um produto, sua capacidade de produção frequentemente supera o resto do mundo combinado, acrescentando que "parece que a China está avançando rapidamente" em padrões universais como LP5 e LP6.
As últimas declarações de Elon Musk sobre a capacidade de fabricação em escala da China adicionaram mais combustível à já crescente ansiedade competitiva na indústria de semicondutores.
Durante a noite, as notícias sobre os mais recentes avanços tecnológicos da fabricante chinesa de chips de memória Changxin Memory Technologies impactaram o setor de chips nos EUA — o índice de semicondutores da Filadélfia caiu 2,7% na segunda-feira, atingindo a menor baixa em três semanas. Ações relacionadas a chips de memória, como Micron, SanDisk e SK Hynix (ADR), lideraram as quedas, refletindo uma preocupação crescente do mercado sobre a entrada acelerada das empresas chinesas no segmento de memórias para servidores de AI, de alta margem de lucro.
Sobre esse movimento, o analista de AI Melvin afirmou que não consegue entender o motivo da venda massiva de ações de memórias, acreditando que o mercado está reagindo de forma exagerada e que essa onda de vendas não é justificável.
Logo depois, Musk respondeu à situação em sua conta na plataforma X, dizendo: “Uma vez que a China domina a fabricação de determinado produto, sua capacidade de produção costuma superar a soma de todas as outras regiões do mundo, como vimos nos setores de baterias de lítio e energia solar.” Ele também manifestou preocupação explícita com a velocidade com que a China está alcançando o segmento de chips de memória, destacando que padrões universais como LP5 e LP6 parecem estar sendo rapidamente dominados pelo país.
Musk: Capacidade de produção em escala da China é uma vantagem sistêmica
Musk classificou a capacidade chinesa de produção em escala como uma vantagem sistêmica, e não um fenômeno isolado. Ele escreveu: “Quando a China aprende a fabricar um produto, sua capacidade de produção frequentemente supera a soma do restante do mundo. Nós já presenciamos isso nos setores de baterias de lítio e energia solar.”
Usando a SpaceX como referência, Musk ressaltou que a empresa é uma das poucas exceções — sua massa colocada em órbita supera em uma ordem de magnitude a soma de todos os outros foguetes portadores do mundo. No entanto, ele acrescentou que, mesmo assim, a China já detém a maior parte da massa orbital fora da SpaceX, dizendo: “A SpaceX é o valor atípico da matriz.”
No setor de chips de memória, Musk foi ainda mais direto. Ele disse que há três anos a RAM era apenas uma commodity de baixo lucro, e que os padrões universais como LP5 e LP6 estão sendo rapidamente assimilados pela China. Ele ainda ressaltou que a próxima geração de arquitetura HBM, com camadas de SRAM sob a lógica e RAM empilhada em 3D acima da camada lógica resolvendo problemas de dissipação térmica, será um desafio tecnológico significativamente mais difícil de superar.
Avanço tecnológico da Changxin Memory Technologies desencadeia vendas no mercado
As observações de Musk não surgiram do nada. No fim de semana anterior, o Dr. Cao Kanyu, presidente da Changxin Memory Technologies, anunciou em um evento do setor que a empresa alcançou um avanço fundamental na arquitetura de células de memória de nova geração 4F² e planeja lançar produtos de memória DDR5 para servidores baseados nessa arquitetura até o final de 2026.
A principal vantagem da arquitetura 4F² é o tamanho reduzido das células de memória. Em arquiteturas tradicionais de DRAM, como a 6F², “F” representa a menor largura de linha do processo, enquanto a 4F² permite, em teoria, acomodar cerca de um terço a mais de bits por unidade de área, reduzindo o custo por unidade e tornando-a mais adequada para módulos de memória de alta capacidade exigidos por servidores de AI. Cao Kanyu afirmou que esse design utiliza transistores proprietários de porta envolvente vertical para suprimir vazamentos, mirando diretamente o segmento de DRAM para servidores de AI, de alta margem de lucro.
Essa notícia aumentou repentinamente a preocupação do mercado em relação à rápida entrada das empresas chinesas no segmento de chips de memória de alto desempenho, sendo o estopim para a venda generalizada de ações do setor de chips na segunda-feira. O segmento de tecnologia foi o de pior desempenho em Wall Street, com ações relacionadas à memória liderando as perdas. Micron caiu abaixo da marca dos US$ 1000, encerrando com queda próxima de 4%; SanDisk perdeu quase 6%; SK Hynix ADR e Super Micro Computer recuaram mais de 4%; Seagate Technology caiu mais de 3%; Quantum perdeu mais de 9%; e Corning também apresentou forte queda.
A lógica das vendas do mercado é clara: caso as empresas chinesas consigam acessar o segmento de chips de memória avançados, tradicionalmente dominado por empresas dos EUA e da Coreia, com custos mais baixos e produção em maior escala, a margem de lucros das concorrentes será substancialmente comprimida. As declarações públicas de Musk reforçaram, em parte, as expectativas dos investidores em relação à evolução desse cenário competitivo.
Aviso Legal: o conteúdo deste artigo reflete exclusivamente a opinião do autor e não representa a plataforma. Este artigo não deve servir como referência para a tomada de decisões de investimento.
Talvez também goste
Principais bancos de Wall Street aumentam previsões de alta de juros, futuros dos títulos do Tesouro dos EUA continuam em queda e ouro cai mais de 1%, rompendo os 4000
Após o CPI dos EUA de outubro superar as expectativas, Goldman Sachs e Nomura adicionaram previsão de alta de juros em março do próximo ano, enquanto Deutsche Bank previu uma alta de juros em janeiro do próximo ano. Atualmente, o mercado já precificou completamente um aumento de 25 pontos-base em dezembro, com probabilidade de 13% para um aumento de 50 pontos-base. Na quarta-feira, o mercado à vista de títulos do Tesouro dos EUA ficou fechado, mas os futuros de títulos continuaram em queda, com os rendimentos correspondentes subindo cerca de 2 a 4 pontos-base, enquanto o ouro à vista caiu 1,1% sob pressão.
A construção de centros de dados de IA esfriando não é motivo de preocupação? A onda de importação dos EUA dificilmente diminuirá no curto prazo, e o verdadeiro impacto pode chegar apenas em 2029.
Um projeto de centro de dados leva, em média, 4,8 anos desde a decisão de investimento até o início da construção, e mais 2,6 anos desde o começo das obras até entrar em operação. Normalmente, os servidores só são instalados após a conclusão da estrutura do prédio e da instalação dos racks. Para parceiros comerciais como Taiwan, Coreia do Sul e México, que dependem da cadeia de suprimentos dos centros de dados dos Estados Unidos, essa inércia no ciclo de construção garante um amortecimento para as exportações, pelo menos nos próximos um ou dois anos.
Grande controvérsia no Federal Reserve: Quando deve terminar o mandato do terceiro em comando, Williams?
O foco da controvérsia está em saber se Williams deve deixar o cargo em junho de 2028 (quando completa 10 anos de mandato) ou em junho de 2027 (quando atinge a idade de aposentadoria de 65 anos). Análises apontam que o Conselho do Federal Reserve possui autoridade discricionária final; caso Williams saia antecipadamente, o presidente do Federal Reserve, Waller, poderá influenciar previamente a nomeação para essa posição-chave, mas encurtar forçadamente o mandato de Williams pode facilmente ser visto como manipulação política. O próprio Williams prevê permanecer no cargo até junho de 2028.
Morgan Stanley alerta: os preços do armazenamento antigo estão atingindo o pico, e a oferta e demanda podem se tornar mais flexíveis em 2028
O Morgan Stanley apontou que, após as eleições nos Estados Unidos, é esperado que cerca de 20% da nova capacidade dos data centers dos EUA em 2028 seja adiada para 2029, o que pode causar uma "lacuna" na cadeia de suprimentos em 2028 e aumentar o risco de acúmulo de estoques antigos de armazenamento. Esses estoques antigos estão menos sujeitos a contratos de longo prazo de preços fixos, e o estreitamento da diferença entre oferta e demanda pode levar a grandes flutuações nos preços. A análise acima se refere apenas ao armazenamento antigo, incluindo DDR3/4, SLC/MLC NAND e memória flash NOR.
Preços de criptomoedas
Mais
