Positive na tugon sa breakthrough ng Changxin 4F2, Micron CTO: Ang 3D DRAM ay “mas pangmatagalang mas magagamit at mas cost-effective”
Kamakailan, nagkaroon ng pag-uga sa halaga ng pandaigdigang storage chip market at umiinit ang diskusyon hinggil sa teknolohiyang direksyon. Ayon kay Scott DeBoer, ang presidente ng Micron, bagaman matagal na nilang pinag-aralan ang 4F² na arkitektura sa loob ng kompanya, mananatili pa rin silang tapat sa 6F² na ruta at agad na lilipat sa 3D DRAM, dahil naniniwala silang walang sapat na kakayahan ang 4F² vertical channel transistors para sa patuloy na pag-unlad. Sa kabilang banda, inanunsyo ng ChangXin Memory na plano nilang ilabas ang 4F² na arkitektura ng DDR5 na produkto sa katapusan ng taon, at isinaalang-alang din ng Samsung ang pag-introduce ng nasabing arkitektura sa taong 2028.
Kamakailan, ang pandaigdigang merkado ng storage chip ay nakaranas ng panibagong pag-uga sa valuation at diskusyon ukol sa teknolohikal na direksyon. Sa kapital na merkado, ang Philadelphia Semiconductor Index at ang storage sector ay nakapagtala ng malalaking pag-urong; sa industriya naman, malawak na pinagusapan ang breakthrough ng Changxin Memory sa 4F² DRAM architecture.
Noong Oktubre 21, pinangunahan ni Micron President at Chief Technology & Product Officer Scott DeBoer ang isang teknikal at produkto na webinar, kung saan isa sa mga pangunahing paksa ay ang pagtugon sa mga alalahanin ng mga mamumuhunan matapos isiwalat ng Changxin ang kanilang plano para sa 4F² architecture.
Diretsong sinabi ni Scott DeBoer na bagaman matagal nang sinuri at na-prototype ng kanilang kumpanya ang 4F², mananatili pa rin ang Micron sa kasalukuyang 6F² na ruta at kalauna’y tuwirang lilipat sa 3D DRAM. Naniniwala ang Micron na sa pangmatagalang pag-unlad, ang 3D DRAM ay mas tiyak pagdating sa “scalability at cost-effectiveness”.
Ipinaliwanag pa niya na ang susi sa DRAM bit density at cost scaling ay ang distansya sa pagitan ng mga capacitor.Ang vertical channel transistor (VCAT) ng 4F² architecture ay walang viable na path ng expansion maliban sa karagdagang scaling ng distansya.
Ayon sa Trend Trading Desk, pagkatapos nito ay inilabas ng UBS analyst na sina Timothy Arcuri at ng kanyang team ang isang research report na inilahad na, kung tama ang assessment ng Micron at ang industriya ay lilipat sa 3D DRAM, may malaking tsansa na makinabang ang mga supplier ng deposition at etching equipment.
Tulad ng iniulat ng Balitang Wall Street, isiniwalat ng Changxin Memory president na si Cao Kanyu noong Oktubre 10 na plano ng kumpanya na maglunsad ng bagong henerasyon ng DDR5 RDIMM bago matapos ang taon gamit ang 4F² architecture, kung saan bababa ang chip area ng halos 30% kumpara sa kasalukuyang 6F² at mas marami pang chips ang mapu-produce mula sa bawat wafer.
Pangunahing Punto ng Micron: Hindi 4F² ang Landas Patungo sa Hinaharap
Ang mataas na atensyon ng industriya sa 4F² ng Changxin ay dahil ito ay tumama mismo sa pangunahing commercial pain point ng DRAM chips—ang bit density ng bawat wafer at cost.
Sa tradisyonal na DRAM design, karaniwang gamit sa industriya ang 6F² architecture. Kapag matagumpay na nailipat sa 4F², teoretikal na mapapaliit ang cell area ng mahigit 30% sa parehong node, at mas maraming die (chip particles) ang mapu-produce per wafer.
Matapos ang technical exchange ng UBS sa Micron, ipinahayag ng Micron sa merkado ang kanilang pananaw sa production bottleneck ng 4F²:
Una,Ang bottleneck ay nasa capacitor, hindi transistor. Naniniwala ang Micron na ang ultimate na bottleneck ng DRAM scaling ay ang distansya ng capacitors, hindi lang ang transistor cell structure. Kung hindi kasabay na masisiksik ang distansya ng capacitors, ang pisikal na paglipat lang sa 4F² ay hindi linear na magreresulta ng tuloy-tuloy na cost advantage.
Pangalawa, ang limitasyon ng VCAT. Madalas ay nangangailangan ng paggamit ng vertical channel transistors (VCAT) ang 4F². Ipinunto ng Micron na bukod sa pag-compress ng spacing, kulang ito sa pang-habang panahon na path ng evolution, at mataas ang manufacturing complexity nito sa ALD (Atomic Layer Deposition) at selective epitaxy, na posible pang makakakain sa benepisyo mula sa area scaling dahil sa production cost.
Ayon sa ulat na ginawa ni Melissa Weathers ng Deutsche Bank pagkatapos ng kanilang meeting, hindi lang malinaw na sinabi ng Micron na wala silang plano na lumipat sa 4F² architecture, kundi binanggit din nilang ilang dekada na nilang inaaral at pinoprototype ang 4F², ngunit ang konklusyon ay: bago mag-shift ang industriya sa 3D DRAM, ang 6F² pa rin ang mas kaakit-akit na landas.
Iba’t Ibang Teknolohikal na Konsiderasyon ng Malalaking Kumpanya
Ayon sa analysis ng UBS, ang pahayag ng Micron ay nagpapakita rin ng parallel na pagpapatakbo nila ng dalawang landas ng teknolohiya, katulad ng kanilang dual strategy sa paggamit ng EUV sa 1-beta node. Naniniwala ang kumpanya na sa huli, magtutugma ang 3D DRAM at ang kanilang roadmap, at tinitingnan nila itong “mas scalable at cost-effective” bilang pangmatagalang plano.
Pero, hindi kumakatawan ang lohika ng Micron sa kabuuang consensus ng industriya.
Sa parehong research ng UBS, maliban sa agresibong pagdevelop ng Changxin sa direksyong ito, may ulat ding plano ng industry leader na Samsung na isaalang-alang ang pagpasok sa 4F² architecture sa susunod na 0a nm node, upang maibsan ang process pressure na dulot ng mataas na aspect ratio ng capacitors.
Plano ng Samsung na tapusin ang 6F² mass production ng 1d nm node sa 2027, at sa pagtatapos ng 2028 ay isusulong ang pagpasok ng 4F² sa 0a nm node.
Ang Teknolohikal na Narrative ng Micron
Maliban sa direktang pagsagot sa pagdududa tungkol sa 4F², pinagbubuhusan din ng Micron ng diin ang kanilang komprehensibong teknikal na pagpoposisyon sa webinar na ito.
Pagpapalawak ng AI memory map: Binibigyang-diin ng Micron na ang demand ng AI para sa memory ay hindi limitado sa single-layer training HBM, kundi pati na rin sa LPDDR6, DDR6, SOCAMM, at 1TB high-capacity RDIMM na kailangan para sa inference, edge AI, at autonomous driving.
Advanced na packaging at logic integration: Itinuturing ng Micron na ang hybrid bonding ay susi para sa future 16-High at mas mataas na spec na HBM, at aktibong nakipagtutulungan sa mga wafer foundry upang paunlarin ang vHBM (vertical stacking ng memory sa itaas ng computing core). Sinisikap ng Micron na ipakita na ang kompetisyon sa storage sa AI era ay lumipat na mula sa “single bit cost control” patungo sa “system-level synergy ng memory, packaging, at logic architecture.”
Pagre-redefine ng NAND value: Ipinamalas din ng Micron ang roadmap ng Gen11 NAND na may higit sa 400 layers, binibigyang-diin ang high-performance storage na tugma sa high IOPS at high bandwidth requirements ng AI era, at itinatayo ang integrated barrier sa pagitan ng DRAM at NAND.
Tunay na Epekto ng Changxin 4F²: Posibleng Sobra ang Market Reaction
Tungkol sa mga alalahanin ng merkado kaugnay ng anunsyo ng Changxin 4F², nauna nang nagbigay ng mas maingat na pagsusuri ang ilang institusyon.
Ayon sa Nomura Securities, malabong magkaroon ng substantive impact ang 4F² at 3D DRAM bago ang 2028, at ang mass production ng 4F² ni Changxin ay inaasahang magaganap sa pagitan ng 2027 at 2028. Binigyang-diin din ng CITIC Securities na ang 4F² ay nasa early verification stage pa lamang, at dapat pang obserbahan ang yield, output, at customer certification, kaya limitado lang ang epekto nito sa mid-term ng storage industry.
Sa aspeto ng posisyon ng Changxin sa industriya, nagsisimula pa lang ang HBM business nito at mahirap makapasok agad sa malaking premium na dulot ng AI computing power sa segment na iyon. Sa harap ng unti-unting pagnipis ng slope ng generic DRAM price hikes, nagiging limitado ang kanyang espasyong pang-hedging dahil sa structural na katangiang ito.
Ipinapakita ng tracking data mula sa TrendForce na ang quarter-on-quarter growth rate ng generic DRAM contract price ay mula 93% hanggang 98% noong Unang Quarter ng 2026, ngunit lumiit ito bawat quarter hanggang 13% hanggang 18% sa third quarter, at inaasahang bababa pa sa 10% hanggang 15% sa ikaapat na quarter.
Disclaimer: Ang nilalaman ng artikulong ito ay sumasalamin lamang sa opinyon ng author at hindi kumakatawan sa platform sa anumang kapasidad. Ang artikulong ito ay hindi nilayon na magsilbi bilang isang sanggunian para sa paggawa ng mga desisyon sa investment.
Baka magustuhan mo rin
Tumaas nang 165,000 ang non-farm employment sa US noong Oktubre, lampas sa inaasahan! Walang inaasahang pagbaba ng unemployment rate sa 4.1%, umiinit ang inaasahan para sa rate hike ngayong Disyembre
Noong Oktubre sa Estados Unidos, nadagdagan ng 165,000 ang non-farm employment, na 2.5 beses ng mid-range expectation ng Wall Street na 65,000, at itinuturing itong halos limang standard deviation na malakas na paglihis, na lumampas sa itinatayang upper limit ng lahat ng institusyon. Ang unemployment rate ay hindi inaasahang bumaba mula 4.2% patungong 4.1%, habang ang inaasahan ng merkado ay walang pagbabago; ang average na paglago ng sahod bawat taon ay bumilis din sa 3.1%. Kasabay nito, inakyat din ang non-farm data ng nakaraang dalawang buwan ng kabuuang 84,000 katao. Pagkatapos mailabas ang datos, ang 2-year yield ng US Treasury ay tumaas ng 7 basis points, at ang posibilidad ng rate hike ng Federal Reserve sa Disyembre ay tumaas sa 70%.
Ang AI na pagbenta ay naapektuhan ang Anthropic IPO, ang inaasahang halaga ay bumaba sa 1.2 trillion—1.3 trillion US dollar
Ang tinatalakay na tinatayang halaga ng mga potensyal na mamumuhunan ay ibinaba mula sa dating pinakamataas na $2 trilyon, patungo sa pagitan ng $1.2 trilyon hanggang $1.3 trilyon, at may ilang mga strategist na nagmumungkahi pa ng mas mababa sa $1 trilyon upang matiyak ang kaligtasan. Dahil sa matinding pagtaas-baba ng merkado at mga alalahaning pinansyal gaya ng pagkalugi sa bawat quarter, kinakaharap ngayon ng Anthropic ang mahirap na desisyon sa pagitan ng pagdiskwento sa halaga, pagbawas sa laki ng paglabas ng shares, o pagpapaliban ng kanilang paglista sa publiko.
Ang kita ng Moderna sa Q3 ay tumaas ng 29% taon-sa-taon, malaki ang lumampas sa inaasahan, itinaas ang gabay para sa taunang paglago ng kita sa 15%-25% | Balitang Pampinansyal
Tumaas ang kita ng Moderna sa ikatlong quarter ng 29% year-on-year hanggang $1.31 bilyon, at ang kita ay malaki ang inakyat kumpara sa inaasahan. Itinaas ng kumpanya ang forecast ng paglago ng kita para sa 2026 sa pagitan ng 15% hanggang 25%. Ang pagtaas ng benta ng bagong henerasyon ng bakuna kontra COVID-19, bakuna laban sa trangkaso, at pagpapalawak sa pandaigdigang merkado ang nagtulak ng pagpapabuti sa performance. Nakamit din ng personalized na bakuna para sa cancer ang positibong pag-usad sa phase 3 na datos. Kasabay nito, pinapabilis ng kumpanya ang cost reduction at research at development ng pipeline, at malaki rin ang itinaas ng inaasahang cash sa pagtatapos ng taon.
Ang Eli Lilly (LLY.US) ay "nagpakumbaba", nakipagtulungan sa dating karibal na Hims (HIMS.US), para makakuha ng bahagi sa pribadong merkado ng gamot pampapayat
Nakikipagtulungan ang Eli Lilly sa Hims & Hers Health upang mapakinabangan ang malaking base ng kliyente ng kompanyang telemedicine na ito, at mapalawak ang abot ng kanilang pangunahing gamot sa pagtanggal ng timbang, kabilang ang bagong oral weight-loss drug na Foundayo, para mapataas ang benta ng mga gamot nila.
Mga presyo ng crypto
Higit pa
