Samsung、3Dメモリ「技術の核弾頭」を発表：400層V-NANDとzHBMコンセプトを初公開、AIメモリ市場のトップを狙う

智通財経APPによると、現地時間の火曜日、Samsung Electronics (SSNLF.US)は米国カリフォルニア州サンタクララで開催された「Future Memory & Storage」カンファレンスにて、人工知能（AI）時代に向けた次世代メモリ技術を集中的に披露しました。展示内容には、400層を超えるV10 BV-NAND試作機、垂直積層型高帯域幅メモリzHBM、さらにzNAND-Oアーキテクチャが含まれており、規模が約1兆ドル（約1兆米ドル）に達するストレージチップ市場でリーダーの座を固めるとともに、AIメモリ分野で先行するSK hynixおよびMicron Technology (MU.US)への追撃を加速させる狙いがあります。