サムスン電子がNVIDIAとのNAND供給パートナーシ ップを拡大、V9およびV10フラッシュメモリの展開を加速
7月21日、Samsung ElectronicsはNVIDIAとのNANDフラッシュメモリ分野での協力を拡大し、既存のDRAM、High Bandwidth Memory（HBM）、およびウェーハファウンドリーでの協力関係を基盤に、ストレージチップ供給の連携をさらに深めています。関係者によると、Samsungは第10世代V-NAND（V10）の量産を開始し、NVIDIAに供給しているほか、第9世代V-NAND（V9）の生産能力も拡大し、第11世代の500層V-NAND（V11）の開発も進めています。また、Samsungは現在、V-NANDウェーハの月間生産能力が10万枚を超えており、そのうち約60%がV9製品に割り当てられているとのことです。
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