L'armée américaine choisit Navitas pour développer la technologie IGBT SiC de nouvelle génération à 10 kV

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Bitget2026/09/28 20:21

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Navitas a remporté un prix ALATTIS soutenu par l'armée américaine pour développer des semiconducteurs de puissance en carbure de silicium de nouvelle génération à 10 kV.
Le programme vise des IGBT en carbure de silicium à 10 kV avec des diodes PiN associées, étendant sa feuille de route SiC au-delà des produits MOSFET.
Le travail consistera à concevoir, fabriquer et tester des prototypes, avec l'objectif de valider un nouveau procédé de fabrication domestique pour des dispositifs SiC ultra-haute tension.
Cet effort s'appuie sur son portefeuille GeneSiC couvrant de 650 V à 6,5 kV, basé sur son architecture de dispositif planaire assistée par tranchée.

Avertissement : Ce résumé d'actualité a été créé par Public Technologies (PUBT) à l'aide de l'intelligence artificielle générative. Bien que PUBT s'efforce de fournir des informations exactes et à jour, ce contenu généré par IA est fourni à titre informatif uniquement et ne doit pas être interprété comme un conseil financier, d'investissement ou juridique. Navitas Semiconductor Corporation a publié le contenu original utilisé pour générer ce résumé via GlobeNewswire (Ref. ID : 202609281615PRIMZONEFULLFEED9835322) le 28 septembre 2026 et est seule responsable des informations qu’il contient.

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