Navitas recibió el encargo del programa del Ejército de Estados Unidos para desarrollar tecnología de carburo de silicio de 10 kV.

MT newswire2026/09/28 20:46

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04:40 p.m. EDT, 28/09/2026 (MT Newswires) -- Navitas Semiconductor (NVTS) anunció el lunes por la tarde que fue adjudicada con el programa Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT, o ALATTIS, para desarrollar tecnología de semiconductores de potencia de carburo de silicio de próxima generación de 10 kilovoltios. No se revelaron detalles financieros. El proyecto de prototipo, patrocinado por el Army Research Laboratory bajo el US Army Combat Capabilities Development Command, se centrará en desarrollar y validar un proceso de fabricación nacional para dispositivos semiconductores de potencia de carburo de silicio de ultra alto voltaje, a través del diseño, la fabricación y las pruebas.

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