El Ejército de EE.UU. selecciona a Navitas para desarrollar tecnología IGBT de SiC de próxima generación de 10 kV.

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Bitget2026/09/28 20:21

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Navitas ganó un premio ALATTIS respaldado por el Ejército de EE. UU. para desarrollar semiconductores de potencia de carburo de silicio de próxima generación de 10 kV.
El programa apunta al desarrollo de IGBT SiC de 10 kV con diodos PiN asociados, ampliando su hoja de ruta de SiC más allá de los productos MOSFET.
El trabajo diseñará, fabricará y probará prototipos, con el objetivo de validar un nuevo proceso de fabricación nacional para dispositivos SiC de ultra alto voltaje.
El esfuerzo se basa en su portafolio GeneSiC, que abarca de 650 V a 6,5 kV, sustentado en su arquitectura de dispositivos planares asistida por trinchera.

Descargo de responsabilidad: Este resumen de noticias fue creado por Public Technologies (PUBT) utilizando inteligencia artificial generativa. Si bien PUBT se esfuerza por proporcionar información precisa y oportuna, este contenido generado por IA es solo para fines informativos y no debe interpretarse como asesoramiento financiero, de inversión o legal. Navitas Semiconductor Corporation publicó el contenido original utilizado para generar este resumen de noticias a través de GlobeNewswire (Ref. ID: 202609281615PRIMZONEFULLFEED9835322) el 28 de septiembre de 2026, y es la única responsable de la información contenida en el mismo.

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