Berichten zufolge plant Kioxia, einen Teil des DRAMs durch eine verbesserte Version von NAND zu ersetzen.

格隆汇, 4. September – Laut Marktinformationen hat Kioxia kürzlich ein Technik-Briefing für Halbleiterspeicher und andere Technologien abgehalten. Kioxia plant, die Verarbeitungsgeschwindigkeit von NAND-Flash mithilfe von speziell für KI-Workloads entwickelten CXL-Modulen zu erhöhen und damit teilweise DRAM zu ersetzen. Berichten zufolge kann das CXL-Modul die für das Lesen von Daten benötigte Zeit auf weniger als ein Zehntel traditioneller Produkte reduzieren und durch das Hochgeschwindigkeits-Datenlesen kann die Leistung näher an DRAM heranreichen. Kioxia betonte, dass beim Teilersatz von DRAM durch CXL-Module die Kapazität bis zum Doppelten steigen und die Leistung um 30 % verbessert werden könne.