Navitas Semiconductor wird ab September die in den USA hergestellte 5. Generation der GaNFast-Technologie ausliefern.

09:17 Uhr EDT, 01.09.2026 (MT Newswires) -- Navitas Semiconductor (NVTS) gab am Dienstag bekannt, dass das Unternehmen im September mit der ersten Auslieferung der in den USA hergestellten 5. Generation der GaNFast-Technologie in Zusammenarbeit mit GlobalFoundries (GFS) beginnen wird. Die erste Produktfamilie wird voraussichtlich 650-V-Gallium-Nitrid-Feldeffekttransistoren mit RDS [ON] Werten von 11 Milliohm, 18 Milliohm, 50 Milliohm, 120 Milliohm und 150 Milliohm umfassen, teilte das Unternehmen mit. Das Unternehmen entwickelte seine Gen-5-GaNFast-Halbleiter für die Produktion in seiner Anlage in Vermont. Navitas teilte mit, dass die ersten Wafer im September ausgeliefert werden sollen, während interne Muster und Muster für strategische Kunden im Oktober beziehungsweise vor Jahresende geliefert werden sollen. Die Aktien von Navitas lagen im vorbörslichen Handel am Dienstag 4 % im Minus.